Vishay推出业内导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度

时间:2020-09-09 15:19       来源: 体育网

  首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP,10 V条件下导通电阻降至1.7 mΩ。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP导通电阻达到业内   水平,采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装,专门用来提高功率密度。

  日前发布的MOSFET导通电阻比市场上第二的产品低43%,降低压降并减小传导损耗,从而实现更高功率密度。SiRA99DP超低栅极电荷仅为84 nC,栅极电荷与导通电阻乘积,即开关应用中MOSFET的重要优值系数 (FOM) 为185 mΩ*nC,达到同类产品   佳水平。

  器件是输入电压12 V电路的理想选择,适用于适配器、电池和通用电源开关、反向极性电池保护、 OR-ing功能,以及电信设备、服务器、工业PC和机器人的电机驱动控制。SiRA99DP减少并联器件数量,换句话说,加大单个器件电流,从而提高功率密度,节省这些应用的主板空间。此外,作为p沟道MOSFET,器件不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。

  这款MOSFET经过RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。