联电涉美光商业机密案败诉遭罚1亿,3高管判刑...

时间:2020-06-28 18:25       来源: 体育网

  据台媒报道,上周五,中国台湾台中地院就联电被控协助福建晋华以窃取美商科技大厂美光(Micron)动态随机存取存储器(DRAM)生产技术案做出判决,涉案戎某、何某和王某3人分别被判以4年半~6年半不等的有期徒刑。而联电公司则被判罚新台币1亿元(合人民币2390万元)。

  据了解,这一案件的“导火索”是联电与福建晋华合作开发32nm DRAM技术,3名中国台湾美光高管随机转任联电引发商业间谍疑云。最终导致美光、联电与福建晋华之间在美国、中国大陆和台湾地区的司法诉讼。

  2020年6月12日,经中国台湾台中地院审理,做出正式以下:判处陈某5年6个月有期徒刑,并科新台币500万元(合人民币119.5万元)罚金、对王某处以4年6个月有期徒刑,并科新台币400万元(合人民币95.6万元)罚金、对戎某处以6年6个月有期徒刑,并科新台币600万元(合人民币143.3万元)罚金,同时宣告没收3人薪资所得各152万元至543万元(合人民币36万~129.75万元)不等;曾经任职台湾美光总经理与联电副总的福建晋华总经理裁陈某目前被检方提起另案调查,联电方被判罚新台币1亿元(合人民币2390万元), 但仍可上诉至知识产权法院。

  中国台湾台中地院行政庭长林源森表示,依据知识产权案件审理法规定,诉讼资料涉及商业机密者,审判不公开。此外,林源森称,该案由该院知识产权专组审理,且是刑事民事一并审理。此案有别于其他刑事案件,若被告判有罪,可向知识产权法院提起上诉,而不是向台中高分院上诉。

  这一案件可以追溯至2016年联电与福建晋华集成电路公司签署技术合作协定,当时的合作协议是联电协助福建晋华开发32nm DRAM相关制程技术。之后,中国台湾地区美光3名高管转任联电,之后美光认为,曾在美光工作过的三名员工在加入联电时窃走了美光的DRAM制程技术,引发商业间谍案疑云。

  2017年中国台湾台中地检署以违反《营业秘密法》起诉联电,以及协理戎某,还有后来加入联电的前中国台湾地区美光高管何某、王某等。

  2018年,美国司法部再以经济间谍等罪起诉联电、福建晋华、何某、王某,以及曾任中国台湾美光总经理与联电副总的福建晋华总经理陈某等人。一旦相关罪名成立,包括陈某等被起诉人将面临经济间谍罪最高15年有期徒刑及500万美元罚款。另外,此案还涉及窃取营业秘密罪,涉案人面临最高10年有期徒刑。

  需要注意的是,联电和福建晋华一旦在美国被控罪名成立,可能面临最高200亿美元的罚款。

  有分析人士指出,中美贸易战背景下,中国台湾正遭受美方压力,不惜对本土龙头企业施以重罚,该判决结果将对联电大陆业务开展带来不利影响,也将为未来中国台湾企业同大陆合作蒙上阴影。更重要的是,大陆存储产业已被“盯上”,未来需警惕遭遇进一步打击的可能。

  联电发出声明:不服判决结果,将上诉

  针对此判决结果,联电日前发出声明,强调未曾违反商业秘密法,将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。

  联电声明全文

  关于台中地院今天就美光公司控告联电等人窃取营业秘密案作出之有罪判决,联电表示将依法提起上诉。

  本次DRAM制程技术之研发,乃台湾投审会事先核准之专案,并为联电以自有技术为出发点,由三百多位工程师组成的研发团队(其中多数为联电经验丰富的研发人员)通力合作,耗时超过二年自主开发DRAM制程,且保留相关研发纪录,期盼经此过程训练的DRAM研发人才与研发结果能根留台湾。除了工程师们的努力之外,联电多年累积的研发经验及传承,更是驱动开发的中流砥柱。

  联电是台湾第一家半导体公司,一向正派经营,尊重知识产权,对台湾半导体产业发展与人才培养贡献良多。联电所有技术均为研发团队自主研发或取得第三人授权。

  为有效保护客户包括营业秘密在内的知识产权,联电在营运的每一环节皆有健全的资讯分级、存取控制及监管机制。联电并定期对员工施予知识产权保护相关之教育训练,以提升员工的法遵意识;定期进行稽核,确保员工执行业务符合公司智财权保护政策。除前所述政策及作为外,联电也持续引进更为缜密及先进的管理措施及系统,以期能不断加强并完善智慧财产权之管理。

  联电并未违反营业秘密法,并将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。在上诉审中,联电将提出本案调查及审理过程中诸多违反刑事诉讼法规定的可议之处,譬如侦讯过程中有不当诱导讯问;对联电有利的陈述未能详实记载于调查笔录中;电磁及其他证据在鉴识上不符规定等等。联电坚信上诉法院若能依法并公正审酌本案证据,必能证明联电并未违反营业秘密法。

  至于美光则对判决表示支持,并表示针对此判决结果,联电日前发出声明,强调未曾违反商业秘密法,将依法对有罪判决及高额罚金提起上诉。